FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
部件编号：
FGA50T65SHD
替代型号：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
RoHS：
YES
FGA50T65SHD 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)：
150 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 50A
集电极电流 (Ic)（最大）：
100 A
供应商设备包：
TO-3PN
栅极电荷：
87 nC
测试条件：
400V, 50A, 6Ohm, 15V
功率 - 最大：
319 W
反向恢复时间 (trr)：
34.6 ns
开关能量：
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
22.4ns/73.6ns
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标准包装数量：2570
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