FGH60T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
部件编号：
FGH60T65SHD-F155
替代型号：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , IXXH60N65B4 , FGH75T65SHDT-F155 , STGWA40H65DFB2 , FGH60T65SQD-F155 , FGH75T65SQDT-F155 , FGH75T65SHD-F155 , NCP3335ADMADJR2G , NGTB40N120FL3WG , NGTB25N120FL3WG
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
RoHS：
YES
FGH60T65SHD-F155 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
输入类型：
Standard
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极脉冲电流 (Icm)：
180 A
集电极电流 (Ic)（最大）：
120 A
栅极电荷：
102 nC
测试条件：
400V, 60A, 6Ohm, 15V
功率 - 最大：
349 W
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 60A
反向恢复时间 (trr)：
34.6 ns
开关能量：
1.69mJ (on), 630µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
26ns/87ns
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快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：2025
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单价
国际价格
1
5.53
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30
4.39
131.7
120
3.76
451.2
510
3.34
1703.4
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2.86
2917.2
2010
2.7
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