FGA40T65SHD
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PN
部件编号：
FGA40T65SHD
替代型号：
FGA40N65SMD , NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PN
RoHS：
YES
FGA40T65SHD 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
集电极电流 (Ic)（最大）：
80 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极脉冲电流 (Icm)：
120 A
供应商设备包：
TO-3PN
测试条件：
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 40A
功率 - 最大：
268 W
栅极电荷：
72.2 nC
反向恢复时间 (trr)：
31.8 ns
开关能量：
1.01mJ (on), 297µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
19.2ns/65.6ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1946
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国际价格
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