FGA30T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
部件编号：
FGA30T65SHD
替代型号：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , MIW40N65RA-BP , FGA40T65SHD , SIHP6N40D-BE3 , IHW40N65R6XKSA1 , IKFW40N65ES5XKSA1 , STLINK-V3MODS , NUCLEO-H743ZI2 , MOC3053SM , LNK3696G-TL , ATDS3534UV405B , ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
RoHS：
YES
FGA30T65SHD 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极电流 (Ic)（最大）：
60 A
集电极脉冲电流 (Icm)：
90 A
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 30A
供应商设备包：
TO-3PN
功率 - 最大：
238 W
反向恢复时间 (trr)：
31.8 ns
测试条件：
400V, 30A, 6Ohm, 15V
开关能量：
598µJ (on), 167µJ (off)
栅极电荷：
54.7 nC
Td（开/关）@ 25°C：
14.4ns/52.8ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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