NGTB30N60SWG
IGBT 600V 60A 189W TO247
部件编号：
NGTB30N60SWG
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 600V 60A 189W TO247
RoHS：
NO
NGTB30N60SWG 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
600 V
输入类型：
Standard
反向恢复时间 (trr)：
200 ns
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
集电极电流 (Ic)（最大）：
60 A
集电极脉冲电流 (Icm)：
120 A
测试条件：
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.2V @ 15V, 30A
功率 - 最大：
189 W
开关能量：
750µJ (on), 540µJ (off)
栅极电荷：
90 nC
Td（开/关）@ 25°C：
57ns/109ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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