IXYP20N65C3D1M
IGBT 650V 18A 50W TO220
部件编号：
IXYP20N65C3D1M
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 650V 18A 50W TO220
RoHS：
YES
IXYP20N65C3D1M 规格
安装类型：
Through Hole
功率 - 最大：
50 W
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
反向恢复时间 (trr)：
30 ns
输入类型：
Standard
IGBT类型：
PT
供应商设备包：
TO-220-3
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极电流 (Ic)（最大）：
18 A
栅极电荷：
30 nC
集电极脉冲电流 (Icm)：
105 A
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 20A
测试条件：
400V, 20A, 20Ohm, 15V
开关能量：
430µJ (on), 350µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
19ns/80ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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