FGD3N60UNDF
IGBT 600V 6A 60W DPAK
部件编号：
FGD3N60UNDF
替代型号：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , STGD8NC60KDT4 , STGD10NC60KDT4
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 600V 6A 60W DPAK
RoHS：
YES
FGD3N60UNDF 规格
安装类型：
Surface Mount
功率 - 最大：
60 W
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
600 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
输入类型：
Standard
供应商设备包：
TO-252AA
IGBT类型：
NPT
集电极电流 (Ic)（最大）：
6 A
反向恢复时间 (trr)：
21 ns
集电极脉冲电流 (Icm)：
9 A
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.52V @ 15V, 3A
开关能量：
52µJ (on), 30µJ (off)
栅极电荷：
1.6 nC
Td（开/关）@ 25°C：
5.5ns/22ns
测试条件：
400V, 3A, 10Ohm, 15V
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标准包装数量：4100
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