IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Número de pieza：
IRF100B202
Modelo alternativo：
2EDF7275FXUMA2 , IRFB4410ZPBF , 2ED2103S06FXUMA1 , PDSE1-S12-S12-S , IRF100B201 , IRF1405PBF , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
RoHS：
YES
IRF100B202 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220AB
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Disipación de energía (máx.)：
221W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
116 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
97A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.6mOhm @ 58A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4476 pF @ 50 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
2.35
2.35
10
1.96
19.6
100
1.55
155
500
1.32
660
1000
1.11
1110
2000
1.06
2120
5000
1.02
5100
10000
0.99
9900
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