FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Número de pieza:
FQPF9P25YDTU
Modelo alternativo:
FQPF9P25YDTU  ,  FQPF9P25
Fabricante:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
RoHS:
YES
FQPF9P25YDTU Especificaciones
Tipo de montaje:
Through Hole
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
10V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET:
P-Channel
Vgs (máx.):
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
250 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
5V @ 250µA
Disipación de energía (máx.):
50W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
6A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1180 pF @ 25 V
Paquete / Estuche:
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Paquete de dispositivo del proveedor:
TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
620mOhm @ 3A, 10V
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
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