IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Número de pieza：
IXTH1N200P3HV
Modelo alternativo：
G2R1000MT33J , IXTH3N200P3HV , ZXGD3005E6TA , IXTH02N250 , R4000GPS-TP , 5ST 10-R , 1N4007FL , Z4KE100A-E3/54 , CSV-PQ50/50-1S-12P , 0217015.MXEP , PQ50/50-3C95 , Z4KE150A-E3/54
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
RoHS：
YES
IXTH1N200P3HV Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Disipación de energía (máx.)：
125W (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-247-3 Variant
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247HV
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
23.5 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
2000 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1877
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
9.97
9.97
30
7.95
238.5
120
7.12
854.4
510
6.28
3202.8
1020
5.65
5763
2010
5.29
10632.9
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