RQ1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Número de pieza：
RQ1E050RPTR
Modelo alternativo：
9774015151R , 2DC2412R-7 , RUM002N02T2L , NCP716BCSN330T1G , RK7002BMT116 , RQ3E150GNTB , VS5V0BA1EST15R , IRF9358TRPBF , SSM3K72KCT , L3F , RB521SM-30T2R , S9B-PH-SM4-TB , RUC002N05HZGT116 , 5055680271 , YC124-FR-0733RL , FTSH-105-01-L-DV-007-K
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
RoHS：
YES
RQ1E050RPTR Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
28 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
700mW (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5A (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TSMT8
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1300 pF @ 10 V
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3187
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.37
1110
6000
0.36
2160
9000
0.34
3060
30000
0.34
10200
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