RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Número de pieza：
RUM002N05T2L
Modelo alternativo：
BLM31KN121SN1L , FT234XD-R , 128-0711-201 , RZM001P02T2L , 5055680671 , SML-E12P8WT86 , RSM002P03T2L , LTST-C190KSKT , QBLP595-Y , 0781710002 , 5018 , QBLP595-IG , B5819WS-TP , NTK3139PT1G , QBLP595-R
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
RoHS：
YES
RUM002N05T2L Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Estuche：
SOT-723
Vgs (máx.)：
±8V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
50 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
25 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
VMT3
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
150mW (Ta)
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Número de envases estándar：763048
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0.06
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