AOB27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Número de pieza：
AOB27S60L
Modelo alternativo：
R6020ENJTL , MAX489ESD+T , LTST-C191KGKT , AOB25S65L , SIHB22N60ET1-GE3 , STB26NM60N , 0312004.HXP , R6020KNJTL , STB24N60DM2 , IPB60R165CPATMA1 , R6024ENJTL , IPB60R160C6ATMA1
Fabricante：
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 600V 27A TO263
RoHS：
YES
AOB27S60L Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
27A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
357W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
26 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
160mOhm @ 13.5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1294 pF @ 100 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：7613
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
2.56
2048
1600
2.19
3504
2400
2.07
4968
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