SUD19P06-60-E3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Número de pieza：
SUD19P06-60-E3
Modelo alternativo：
IRLR9343TRPBF , DS04-254-2-05BK-SMT-TR , NTD20P06LT4G , DMP6180SK3-13 , TLP2361(V4-TPL , E , SSM3J351R , LF , SHT30-ARP-B , BSS138PW , 115 , 9774030360R , 74AHCV07APWJ , DMMT5401-7-F , DMP6185SK3-13 , BSC077N12NS3GATMA1 , ACM90V-152-2PL-TL00 , AOD407
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
RoHS：
YES
SUD19P06-60-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252AA
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1710 pF @ 25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
18.3A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5667
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2000
0.52
1040
6000
0.5
3000
10000
0.47
4700
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