SQM60N06-15_GE3

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SQM60N06-15_GE3

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

Número de pieza：

SQM60N06-15_GE3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

RoHS：

YES

：

SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3

SQM60N06-15_GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

50 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3.5V @ 250µA

Disipación de energía (máx.)：

107W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

56A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

15mOhm @ 30A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2480 pF @ 25 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

800

1.55

1240

1600

1.32

2112

2400

1.25

3000

5600

1.2

6720

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