SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Número de pieza：
SQJ469EP-T1_GE3
Modelo alternativo：
SQJ479EP-T1_GE3 , LT1761IS5-5#TRMPBF , EPC2204 , INA237AQDGSRQ1 , GRPB041VWCN-RC , SN74LVC125AD , INA3221AQRGVRQ1 , SN74LVC1T45MDCKREP , LTC3115EFE-2#PBF , SQJ465EP-T1_GE3 , SQJ459EP-T1_GE3 , SN65HVD11HD , SQJ457EP-T1_GE3 , SQJA81EP-T1_GE3 , LT1761IS5-3.3#TRMPBF
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SQJ469EP-T1_GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Calificación：
AEC-Q101
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
80 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
32A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)：
100W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10.2A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5100 pF @ 40 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：9774
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