SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Número de pieza：
SIS438DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
BSZ060NE2LSATMA1 , 0937698628 , ERT-J1VG103FA , LTC3350IUHF#PBF , BZT52C5V6LP-7 , LTC3350EUHF#TRPBF , NFM21CC223R1H3D , SI7148DP-T1-E3 , SIS434DN-T1-GE3 , SI2374DS-T1-GE3 , 1N4448HWT-7 , ADM6-60-01.5-L-4-2-A-TR , LCW-105-08-T-S-300 , SIT1602BI-12-18E-26.000000 , SQS411ENW-T1_GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
RoHS：
YES
SIS438DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.3V @ 250µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
880 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：64969
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.34
1020
6000
0.32
1920
9000
0.3
2700
30000
0.3
9000
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