SIR484DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
Número de pieza：
SIR484DP-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIR484DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)：
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
830 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.3mOhm @ 17.2A, 10V
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