SIR436DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Número de pieza:
SIR436DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
RoHS:
YES
SIR436DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje:
Surface Mount
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
4.5V, 10V
Vgs (máx.):
±20V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
40A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
3V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
25 V
Paquete de dispositivo del proveedor:
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche:
PowerPAK® SO-8
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
47 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.):
5W (Ta), 50W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
4.6mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1715 pF @ 15 V
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
Cantidad
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