SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA438EDJ-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA438EDJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
350 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
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