SIA431DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA431DJ-T1-GE3
Modelo alternativo：
SIA429DJT-T1-GE3 , NTLJS2103PTBG , SI2318DS-T1-BE3 , UJ2-AV-4-TH , SJ-43515TS , 1711725 , 2501-2-00-80-00-00-07-0 , SML-LX0404SIUPGUSB , B540C-13-F , 3-644456-3 , BLM31PG121SN1L
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA431DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1700 pF @ 10 V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
850mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 8 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5131
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.24
720
6000
0.22
1320
9000
0.21
1890
30000
0.21
6300
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