SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7860DP-T1-E3
Modelo alternativo：
CPPLC7L-A7BP-50.0TS , CTLTVS5-4 TR PBFREE , LSF0108PWR , FDMS7660AS , ASP-103612-02 , ABM2-25.000MHZ-D4Y-T , SIR462DP-T1-GE3 , MAX9406ETM+ , ABS06-107-32.768KHZ-T , TXS0108EPWR , EMC1412-1-ACZL-TR , FDN358P , MMBT3904-7-F
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7860DP-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Disipación de energía (máx.)：
1.8W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 18A, 10V
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