SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7848BDP-T1-E3
Modelo alternativo：
LTC2633HTS8-HZ12#TRMPBF , PDS1040-13 , 5151064F , AP22653W6-7 , LT8636EV#PBF , SI7450DP-T1-GE3 , LTC3115EDHD-1#TRPBF , BSC110N15NS5ATMA1 , SIRA01DP-T1-GE3 , 09452812560 , 9774015360R , LTC7800EUDC#PBF , 09452819001 , SIR426DP-T1-GE3 , 3SMAJ5918B-TP
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7848BDP-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
47A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2000 pF @ 20 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
4.2W (Ta), 36W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：36812
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.84
2520
6000
0.8
4800
9000
0.78
7020
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