SI7326DN-T1-E3

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SI7326DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Número de pieza：

SI7326DN-T1-E3

Modelo alternativo：

DRV8889QWRGERQ1 , DAC80501ZDQFT , OPA325IDBVT , STM32L4R9AII6 , DS90LV027AQMAX/NOPB

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

RoHS：

YES

：

SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-E3 SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

1.8V @ 250µA

Disipación de energía (máx.)：

1.5W (Ta)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Vgs (máx.)：

±25V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PowerPAK® 1212-8

Paquete / Estuche：

PowerPAK® 1212-8

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 5 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

19.5mOhm @ 10A, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6.5A (Ta)

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Número de envases estándar：1600

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Precio unitario

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30000

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