SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Número de pieza：
SI4866DY-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
RoHS：
YES
SI4866DY-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de energía (máx.)：
1.6W (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
600mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4100
Cantidad
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Precios internacionales
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