SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Número de pieza：
SI3407DV-T1-GE3
Modelo alternativo：
FDC604P , SSM3J338R , LF , DMN1019USN-7 , PMN30XPAX , SI3421DV-T1-GE3 , TPSMC30CA , 24881 , PTVS3V3S1UR , 115 , SI3493BDV-T1-E3 , 5988130107F , NTHS4101PT1G , SI3429EDV-T1-GE3 , MICROSMD050F-2 , SI3493DDV-T1-GE3 , PMN30XPX
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3407DV-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor：
6-TSOP
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
63 nC @ 10 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.5V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1670 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
4.2W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：13215
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.18
540
6000
0.18
1080
9000
0.15
1350
30000
0.15
4500
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