SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Número de pieza：
SI2367DS-T1-GE3
Modelo alternativo：
CS18-01S100-05-1 , SI2347DS-T1-GE3 , SKHHDHA010 , DMG3402LQ-7 , SI2377EDS-T1-GE3 , 693012040811 , SI2377EDS-T1-BE3 , 5151001F , SI2365EDS-T1-GE3 , CP2102-GM , SKHHANA010 , SKHHALA010 , SI2367DS-T1-BE3 , BD46355G-TR , ESP32-WROOM-32E-N16
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
RoHS：
YES
SI2367DS-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3 (TO-236)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.8A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
561 pF @ 10 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：14187
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.14
420
6000
0.14
840
9000
0.13
1170
30000
0.13
3900
75000
0.12
9000
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