SIR846DP-T1-GE3

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SIR846DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Número de pieza：

SIR846DP-T1-GE3

Modelo alternativo：

BUK6Y33-60PX , SIR882ADP-T1-GE3 , SIR846ADP-T1-GE3 , SI7178DP-T1-GE3 , SIR870ADP-T1-GE3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SIR846DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

7.5V, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3.5V @ 250µA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

60A (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

PowerPAK® SO-8

Paquete / Estuche：

PowerPAK® SO-8

Disipación de energía (máx.)：

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

72 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

7.8mOhm @ 20A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2870 pF @ 50 V

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