STB28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Número de pieza：
STB28NM50N
Modelo alternativo：
BC847BPDW1T2G , STGD20N45LZAG , STF28NM50N , SI2333DDS-T1-GE3 , CPH5524-TL-E , SFH617A-1X007T , M80-5301042 , SPB21N50C3ATMA1 , 40.52.9.024.0000 , STM32F417ZGT6 , LM5045MH/NOPB , ACPL-217-500E , ACSL-6400-56TE , STW28NM50N , HCPL-181-000E
Fabricante：
STMicroelectronics
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
RoHS：
YES
STB28NM50N Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Disipación de energía (máx.)：
150W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)：
±25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
21A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
158mOhm @ 10.5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1735 pF @ 25 V
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