IRFH5025TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Número de pieza：
IRFH5025TRPBF
Modelo alternativo：
IRFH5025TR2PBF , TPH1110FNH , L1Q , IRFH5020TRPBF , SIR692DP-T1-RE3 , SIT8008AI-33-33S-25.000000 , LL4448 , HS2FA R3G , TPH5200FNH , L1Q , BSC600N25NS3GATMA1 , BSC670N25NSFDATMA1 , SI7190ADP-T1-RE3 , SI7190DP-T1-GE3 , IRFH5015TRPBF , BSZ42DN25NS3GATMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 6EDL04N06PTXUMA1 , 2ED2101S06FXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2106S06FXUMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
RoHS：
YES
IRFH5025TRPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
250 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
56 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 150µA
Disipación de energía (máx.)：
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.8A (Ta)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2150 pF @ 50 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 5.7A, 10V
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