IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Número de pieza：
IXTY02N120P
Modelo alternativo：
IXTY02N120P-TRL , IXTY02N120P-TRL , IMW120R350M1HXKSA1 , APV1121SX , 0734152063 , CC1110F32RHHT , STH2N120K5-2AG , IXTA08N120P , KMB23S , STD2N105K5 , 1778001 , BLM18PG471SN1D , 750315371 , HV9150K6-G , ESD12VD9-TP , IXTT02N450HV
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
RoHS：
YES
IXTY02N120P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252AA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 100µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
104 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
33W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200mA (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
4.7 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
75Ohm @ 500mA, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：19723
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
1.82
1.82
70
1.46
102.2
140
1.2
168
560
1.09
610.4
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