IXTQ60N20L2

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IXTQ60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

Número de pieza：

IXTQ60N20L2

Modelo alternativo：

IXTK90N25L2

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

RoHS：

YES

：

IXTQ60N20L2 IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.5V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-3P

Paquete / Estuche：

TO-3P-3, SC-65-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

200 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

60A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

540W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

10500 pF @ 25 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

255 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

45mOhm @ 30A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1749

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

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510

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