IXTH75N10L2

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IXTH75N10L2

MOSFET N-CH 100V 75A TO247

Número de pieza：

IXTH75N10L2

Modelo alternativo：

IXTH110N10L2 , HUF75652G3

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 75A TO247

RoHS：

YES

：

IXTH75N10L2

IXTH75N10L2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.5V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-247-3

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

75A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

400W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-247 (IXTH)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

215 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

21mOhm @ 500mA, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

8100 pF @ 25 V

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