IXTH60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Número de pieza：
IXTH60N20L2
Modelo alternativo：
IXTK90N25L2 , IXTP64N10L2 , OMNI-UNI-30-50-D , IXTK110N20L2 , FDD86367-F085 , LMR38020FSQDDARQ1 , INA296A1IDDFR , 74651174R , PDZ3.6BZ , 15210802601000 , V20PW10CHM3/I
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 60A TO247
RoHS：
YES
IXTH60N20L2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247 (IXTH)
Disipación de energía (máx.)：
540W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
10500 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
255 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 30A, 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1613
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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21.36
21.36
30
17.29
518.7
120
16.28
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510
14.75
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