IXFH6N120P

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IXFH6N120P

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

Número de pieza：

IXFH6N120P

Modelo alternativo：

STW8N120K5 , STW12N150K5 , STW12N120K5

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

RoHS：

YES

：

IXFH6N120P

IXFH6N120P Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-247-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1200 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-247AD (IXFH)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

250W (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

92 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2830 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

2.4Ohm @ 500mA, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1882

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

12.72

12.72

30

10.15

304.5

120

9.09

1090.8

510

8.02

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1020

7.22

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