IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Número de pieza：
IRFSL4229PBF
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
RoHS：
NO
IRFSL4229PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
250 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-262
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
330W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
45A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4560 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
48mOhm @ 26A, 10V
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Número de envases estándar：1600
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