AOB418L
MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO263
AOB418L Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (máx.)：
±12V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
83 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.9V @ 250µA
Disipación de energía (máx.)：
2.1W (Ta), 333W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.7mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5200 pF @ 50 V
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