AOB414

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AOB414

MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263

Número de pieza：

AOB414

Modelo alternativo：

219-8LPSTR , AOD4126 , FDMS86101 , DMN3033LSN-7 , IRF3710STRLPBF , 219-4LPSTR , BZT52H-C36 , 115

Fabricante：

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263

RoHS：

YES

：

AOB414 AOB414 AOB414 AOB414 AOB414 AOB414

AOB414 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

34 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2200 pF @ 50 V

Vgs (máx.)：

±25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

7V, 10V

Disipación de energía (máx.)：

2.5W (Ta), 150W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

25mOhm @ 20A, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6.6A (Ta), 51A (Tc)

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2270

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

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976

2400

0.57

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