AOD3N50

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AOD3N50

MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252

Número de pieza：

AOD3N50

Modelo alternativo：

ILQ615-3X009T , AOD3N60 , VOM1271T , IRLML6344TRPBF , B72210S0300K101

Fabricante：

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252

RoHS：

YES

：

AOD3N50 AOD3N50 AOD3N50 AOD3N50 AOD3N50 AOD3N50

AOD3N50 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Temperatura de funcionamiento：

-50°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.5V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-252 (DPAK)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

8 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

57W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

2.8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

3Ohm @ 1.5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

331 pF @ 25 V

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Número de envases estándar：12795

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