STB13NM60N

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STB13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Número de pieza：

STB13NM60N

Modelo alternativo：

STB13N60M2 , ASR-SD380D5RL , STB42N65M5 , STD13NM60N

Fabricante：

STMicroelectronics

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

RoHS：

YES

：

STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N

STB13NM60N Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor：

D2PAK

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Vgs (máx.)：

±25V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

11A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

90W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

360mOhm @ 5.5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

790 pF @ 50 V

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