SI2302ADS-T1

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SI2302ADS-T1

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Número de pieza：

SI2302ADS-T1

Modelo alternativo：

SI2302ADS-T1-E3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-E3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

RoHS：

YES

：

SI2302ADS-T1 SI2302ADS-T1 SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

2.5V, 4.5V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

20 V

Vgs (máx.)：

±8V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

2.1A (Ta)

Paquete de dispositivo del proveedor：

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)：

700mW (Ta)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

10 nC @ 4.5 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

300 pF @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

60mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

1.2V @ 50µA

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