IPW60R099C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Número de pieza：
IPW60R099C6FKSA1
Modelo alternativo：
MBRS4201T3G , SPW47N60C3FKSA1 , IPW60R190P6FKSA1 , SPW35N60C3FKSA1 , IPW60R099P6XKSA1 , IPP60R099C6XKSA1 , MC908GP32CFBE , IPW60R099CPFKSA1 , LMZM23601V5SILR , IPW60R099P7XKSA1 , STM32L476MGY6TR , TPS92515HVQDGQRQ1 , STP34NM60N , IPB65R110CFDAATMA1 , S9S12G128AMLF , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
RoHS：
YES
IPW60R099C6FKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)：
278W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO247-3-1
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
119 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
37.9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 1.21mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2660 pF @ 100 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2266
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
7.82
7.82
30
6.25
187.5
120
5.59
670.8
510
4.93
2514.3
1020
4.43
4518.6
2010
4.16
8361.6
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