IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Número de pieza：
IPP320N20N3GXKSA1
Modelo alternativo：
1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , IRS2007STRPBF , IRFB260NPBF , BSC350N20NSFDATMA1 , IPP110N20N3GXKSA1 , IRFP4227PBF , IRS20957STRPBF , IXTP44P15T , IPP600N25N3GXKSA1 , IPP220N25NFDAKSA1 , LTC6102HVHMS8#TRPBF , IPA320N20NM3SXKSA1 , HLMP-AB74-WXBDD , BZX84C51-7-F , LTC7001EMSE#PBF , ZPY15-TR , IPB320N20N3GATMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
RoHS：
YES
IPP320N20N3GXKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
34A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
136W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 90µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2350 pF @ 100 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 34A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：6258
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
3.82
3.82
50
3.03
151.5
100
2.6
260
500
2.31
1155
1000
1.98
1980
2000
1.86
3720
5000
1.78
8900
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