IPI60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
Número de pieza：
IPI60R380C6XKSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
RoHS：
YES
IPI60R380C6XKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Disipación de energía (máx.)：
83W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
32 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO262-3
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
700 pF @ 100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 320µA
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