BSS126H6327XTSA1

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BSS126H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Número de pieza：

BSS126H6327XTSA1

Modelo alternativo：

BSS126H6906XTSA1 , BSS126H6327XTSA2

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

RoHS：

NO

：

BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA1

BSS126H6327XTSA1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PG-SOT23

Disipación de energía (máx.)：

500mW (Ta)

Función FET：

Depletion Mode

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

0V, 10V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

500Ohm @ 16mA, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

21mA (Ta)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

1.6V @ 8µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

2.1 nC @ 5 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

28 pF @ 25 V

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