BSO080P03NS3GXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Número de pieza：
BSO080P03NS3GXUMA1
Modelo alternativo：
IRS10752LTRPBF , IRS2011STRPBF
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
RoHS：
YES
BSO080P03NS3GXUMA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-DSO-8
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Disipación de energía (máx.)：
1.6W (Ta)
Vgs (máx.)：
±25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.1V @ 150µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 14.8A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
6750 pF @ 15 V
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