BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Número de pieza：
BSD816SNL6327HTSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
RoHS：
NO
BSD816SNL6327HTSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Paquete / Estuche：
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Disipación de energía (máx.)：
500mW (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-SOT363-PO
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
180 pF @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 2.5V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
950mV @ 3.7µA
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