BSB012N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Número de pieza：
BSB012N03LX3 G
Modelo alternativo：
BSB012N03LX3G , BSS123
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
RoHS：
NO
BSB012N03LX3 G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.2V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Estuche：
3-WDSON
Disipación de energía (máx.)：
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 30A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
39A (Ta), 180A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
169 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
16900 pF @ 15 V
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