RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Número de pieza：
RZM002P02T2L
Modelo alternativo：
RUM002N02T2L , RZM001P02T2L , RUM002N05T2L , BLM15PD121SN1D , NXFT15XH103FA2B100 , SSM3J35AMFV , L3F , LTC3112EFE#PBF , QBLP595-IG , RE1C002UNTCL , RB520CM-30T2R , MJD210T4G , SSM3J56MFV , L3F , DMG1013T-7 , VOMA617A-8X001T , SML-D12M8WT86
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RoHS：
YES
RZM002P02T2L Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Paquete / Estuche：
SOT-723
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.2V, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.4 nC @ 4.5 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
VMT3
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 100µA
Disipación de energía (máx.)：
150mW (Ta)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
115 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：135005
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
8000
0.07
560
16000
0.06
960
24000
0.06
1440
56000
0.04
2240
200000
0.04
8000
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