RQ1A060ZPTR

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RQ1A060ZPTR

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Número de pieza：

RQ1A060ZPTR

Modelo alternativo：

CSTNE8M00G550000R0

Fabricante：

ROHM Semiconductor

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

RoHS：

YES

：

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RQ1A060ZPTR Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±10V

Tipo FET：

P-Channel

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6A (Ta)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

12 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

1.5V, 4.5V

Disipación de energía (máx.)：

700mW (Ta)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TSMT8

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

1V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

34 nC @ 4.5 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

23mOhm @ 6A, 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2800 pF @ 6 V

Paquete / Estuche：

8-SMD, Flat Leads

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Número de envases estándar：13521

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